静电会对led有危害，并不是led独有的“专利”，就是用硅材料制造的常用的二极管、三极管，也都会受到威胁。甚至建筑、树木、动物都可能被静电损害(雷电就是一种静电，我们这里就不去考虑它了)。
那么，静电是怎么对电子元件损害的呢？我也不要扯得太远，就只讲半导体器件的问题，而且就局限于二极管、三极管、ic、led方面。
电对半导体元器件的损坏，最终是有电流的参与。在电流的作用下，由于热而损坏器件。要有电流，就要有电压。但是，半导体二极管有pn结，无论是正向还是反向，pn结都会有阻挡电流的一个电压范围。正向势垒低，反向势垒则要高很多。在一个电路中，哪里的电阻大，电压就在哪里集中。
      但就来看led，电压正向加给led时，当外电压小于二极管的阈值电压(大小与材料禁带宽度对应)，没有正向电流，电压全部加在pn结上。电压反向加给led时，当外电压小于led的反向击穿电压时，电压也是全部加在pn结上，此时，led的虚焊点也罢，支架也罢、p区也罢、n区也罢，统统都没有电压降！因为没有电流。当着pn结击穿后，外电压才会由电路上的所有电阻分担。哪个地方电阻大，哪个部分承担的电压就高。就led而言，自然是pn结承担了大部分电压。在pn结上产生的热功率就是它上面的压降乘以电流值。若是电流值不加限制，过高的热量就会将pn结烧坏，pn结失去作用而穿通。
ic为什么会比较怕静电，因为，ic中的每个元件的面积非常小，每个元件的寄生电容也就非常小(往往电路功能就要求寄生电容非常小)，所以，少量的静电电荷就会产生很高的静电电压，而且每个元件的功率耐量通常也很小，所以，静电放电就很容易损坏ic。但是通常的分立元件，如普通的小功率二极管、小功率三极管都不是非常怕静电，因为它们芯片的面积比较大，寄生电容也比较大，一般的静定不容易在它们上面积累高电压。
       小功率的mos管，由于栅极氧化层很薄，寄生电容小，所以很容易遭静电损坏，通常会在封装完成后将三个电极短路后出厂。使用中也常要求在焊接完成后再去掉短路线。而大功率的mos管，由于芯片面积大，一般的静电也不会损坏它们。所以你会看到，现在功率mos管的三个电极是没有短路线保护的(早期制造厂还是将它们短路后出厂的)。
led实际就是有个二极管，它的面积相对ic内的每个元件来讲，是非常大的。所以led的寄生电容相对来说也是比较大的。所以，一般场合的静电并不能损坏led。
一般场合的静电，尤其是绝缘体上产生的静电，电压会很高，但放电电荷量极微，而且放电电流持续时间很短。而导体上感应的静电，电压可能不是很高，但是放电电流却可能很大，而且往往是持续的电流。这样对电子元件的危害就非常大。
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